AGM-Semi AGM404AP1 Transistors MOSFET 40V 46A à commutation rapide 28W 4.4m Low Gate Charge PDFN3.3 * 3.3 Package
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Attributs
MOSFETType
But généralApplication
Montage en SurfaceType de paquet
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/caoMédias Disponibles
Fabricant original, ODM, Agence, DétaillantType de Fournisseur
PDFN3.3 * 3.3Package/Boîte
Référence fabricant:AGM404AP1
Marque nom:AGM-Semi
Description:N 40V 46A 28W 4.4mΩ @ 10V
Point d'origine:Guangdong, China
Température de fonctionnement:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série:STripFE
Code date de fabrication:Le plus récent
Référence croisée:Transistor
FET Type:N-Canal
Vidange à la tension de la Source (Vdss):40V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:46A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:11mOhm @ @ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ @ 250ua
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @ @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @ @ 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):10V
Vgs (Max):± 20V
Type de montage:À travers le trou
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
But général
Type de paquet
Montage en Surface
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Package/Boîte
PDFN3.3 * 3.3
Description
N 40V 46A 28W 4.4mΩ @ 10V
Référence fabricant
AGM404AP1
Marque nom
AGM-Semi
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série
STripFE
Code date de fabrication
Le plus récent
Référence croisée
Transistor
FET Type
N-Canal
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
46A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ @ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ @ 250ua
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ @ 25V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
± 20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
0.4X0.36X0.1 cm
unique poids brut
0.001 kg
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