AGM-Semi AGM404AP1 Transistors MOSFET 40V 46A à commutation rapide 28W 4.4m Low Gate Charge PDFN3.3 * 3.3 Package
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Attributs
MOSFETType
But généralApplication
Montage en SurfaceType de paquet
À travers le trouType de montage
Diode Schottky (isolée)FET Caractéristique
Inverseur TriphaséConfiguration
Référence fabricant:AGM404AP1
Marque nom:AGM-Semi
Description:N 40V 46A 28W 4.4mΩ @ 10V
Point d'origine:Guangdong, China
Package/Boîte:PDFN3.3 * 3.3
Température de fonctionnement:Nulle
Série:Nulle
Code date de fabrication:Nulle
Type de Fournisseur:Détaillant, ODM, Fabricant original, Agence
Médias Disponibles:Photo, Autre, Modèles EDA/cao, Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max):Nulle
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):Nulle
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Nulle
Courant-coupure de collecteur (Max):Nulle
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Nulle
Puissance Max:Nulle
Fréquence-Transition:Nulle
Résistance-socle (R1):Nulle
Résistance-socle émetteur (R2):Nulle
FET Type:Nulle
Vidange à la tension de la Source (Vdss):40V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:46A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Nulle
Vgs (th) (Max) @ Id:Nulle
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Nulle
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Nulle
Fréquence:Nulle
Courant nominal (ampères):Nulle
Facteur de bruit:Nulle
Alimentation-Sortie:Nulle
Tension Nominale:Nulle
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Nulle
Vgs (Max):Nulle
Type IGBT:Nulle
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Nulle
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Nulle
Entrée:Nulle
Thermistance NTC:Nulle
Tension-panne (V (BR) GSS):Nulle
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Nulle
Vidange de courant (Id)-Max:Nulle
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Nulle
Résistance-RDS (On):Nulle
Tension-Sortie:Nulle
Tension-décalage (Vt):Nulle
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Nulle
Courant-vallée (Iv):Nulle
Courant-Crête:Nulle
Transistor Type:Transistor
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
But général
Type de paquet
Montage en Surface
Type de montage
À travers le trou
FET Caractéristique
Diode Schottky (isolée)
Configuration
Inverseur Triphasé
Médias Disponibles
Photo, Autre, Modèles EDA/cao, Fiche technique
Type de Fournisseur
Détaillant, ODM, Fabricant original, Agence
Puissance Max
Nulle
Package/Boîte
PDFN3.3 * 3.3
Description
N 40V 46A 28W 4.4mΩ @ 10V
Référence fabricant
AGM404AP1
Marque nom
AGM-Semi
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
Nulle
Série
Nulle
Code date de fabrication
Nulle
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Nulle
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Nulle
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Nulle
Courant-coupure de collecteur (Max)
Nulle
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Nulle
Fréquence-Transition
Nulle
Résistance-socle (R1)
Nulle
Résistance-socle émetteur (R2)
Nulle
FET Type
Nulle
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
46A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Nulle
Vgs (th) (Max) @ Id
Nulle
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Nulle
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Nulle
Fréquence
Nulle
Courant nominal (ampères)
Nulle
Facteur de bruit
Nulle
Alimentation-Sortie
Nulle
Tension Nominale
Nulle
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Nulle
Vgs (Max)
Nulle
Type IGBT
Nulle
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Nulle
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Nulle
Entrée
Nulle
Thermistance NTC
Nulle
Tension-panne (V (BR) GSS)
Nulle
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Nulle
Vidange de courant (Id)-Max
Nulle
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Nulle
Résistance-RDS (On)
Nulle
Tension-Sortie
Nulle
Tension-décalage (Vt)
Nulle
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Nulle
Courant-vallée (Iv)
Nulle
Courant-Crête
Nulle
Transistor Type
Transistor
Type de montage
Nulle
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