





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:4 MHz
Organisation de la mémoire:64 par 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI














