ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD logo
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
SG2 ans
≤2h
Temps de réponse

APS25608N-OBR-BD DRAM IoT RAM 256 Mo OPI (x8) DDR 200 MHz, 1,8 V, Ind. Temp., BGA24

Aucun avis pour l'instant
3,12 €
1-24 pièce
2,81 €
25-99 pièce
2,69 €
100-499 pièce
2,54 €
≥500 pièce

Quantité

Caractéristiques

Marque nom

AP Memory

Référence fabricant

APS25608N-OBR-BD

Type

PSRAM (Pseudo-SRAM)

Type de montage

CMS/MTS

Débit de données

norme

Taille de La mémoire

256 mégabits

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.
Sous-total de l'article
0,00 €
Montant des frais de port
À négocier
Sous-total
0,00 €

Caractéristiques du produit

Marque nom
AP Memory
Référence fabricant
APS25608N-OBR-BD
Type
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Type de montage
CMS/MTS
Débit de données
norme
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
original
Description
DRAM IoT RAM 256 Mo OPI (x8) DDR 200 MHz
Type de conditionnement
Plateau
Fonction
norme
Application
norme
Température de fonctionnement
-40-85°C
Package/Boîte
BGA-240
Série
RAM de l'IoT
Caractéristiques
norme
Référence croisée
norme
Chimie de la batterie
norme
Type de mémoire
mémoire DRAM
Interface de mémoire
norme
Courant-approvisionnement (Max)
norme
Technologie
DRAM
Tension D'alimentation
1,8 V
Type d'expansion
norme
Bus directionnel
norme
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
32X8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
norme

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul volume
0 cm³
unique poids brut
0.0 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs