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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD logo
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
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APS51208N-OBR-BD DRAM IoT RAM 512 Mo OPI (x8) DDR 200 MHz, 1,8 V, Ind. Temp., BGA24

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25 - 99 pièce
5,27 €
100 - 499 pièce
4,97 €
≥ 500 pièce

Quantité

Caractéristiques

Marque nom

AP Memory

Référence fabricant

APS51208N-OBR-BD

Type

PSRAM (Pseudo-SRAM)

Type de montage

CMS/MTS

Débit de données

norme

Taille de La mémoire

512 mégabits

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Caractéristiques du produit

Technologie
DRAM
Type de mémoire
mémoire DRAM
Interface de mémoire
norme
Organisation de la mémoire
64M x 8
Type de montage
CMS/MTS
Type
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Type d'expansion
norme
Référence fabricant
APS51208N-OBR-BD
Marque nom
AP Memory
Débit de données
norme
Taille de La mémoire
512 mégabits
Point d'origine
original
Description
DRAM IoT RAM 512 Mo OPI (x8) DDR 200 MHz, 1,8 V
Type de conditionnement
Plateau
Fonction
norme
Application
norme
Température de fonctionnement
-40-85°C
Package/Boîte
BGA-240
Série
RAM de l'IoT
Caractéristiques
norme
Référence croisée
norme
Chimie de la batterie
norme
Courant-approvisionnement (Max)
norme
Tension D'alimentation
1,8 V
Bus directionnel
norme
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
norme

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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