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Module de transistors APTGTQ100DA65T1G Acheter des composants électroniques en ligne Service complet original

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APTGTQ100DA65T1G

Marque nom

Original

Description

MODULE IGBT 650V 100A 250W SP1

Point d'origine

China

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-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTGTQ100DA65T1G
Marque nom
Original
Description
MODULE IGBT 650V 100A 250W SP1
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
100 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
650 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
100 µA
Puissance Max
250 W
Type IGBT
-
Configuration
Boost Hachoir
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
6 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Oui
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type d'IGBT
-
Configuration
Hachoir Boost
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100 A
Puissance - Max
250 W
Entrée
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
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