Composant électronique de mémoire AS4C128M8D2-25BIN 60 TFBGA, distributeur agréé
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Attributs
SDRAM-DDDR2Technologie
volatileType de mémoire
128 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
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