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K4F6E3S4HM-GHCL 200FBGA DDR 2 Go SDRAM Puce de mémoire CI Circuits intégrés Composants électroniques Neuf

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0,087 €
Quantité minimale : 1 pièce
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Spécification

LPDDR 2GB 200FBGA

Code de date de fabrication

2024 et plus
2025 et plus
2026 et plus récent

Caractéristiques

Marque nom

Original Standard

Référence fabricant

K4F6E3S4HM-GHCL

Type

Circuit mémoire

Débit de données

3733 Mbps

Taille de La mémoire

2GB

Point d'origine

Guangdong, China

Expédition

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original Standard
Référence fabricant
K4F6E3S4HM-GHCL
Type
Circuit mémoire
Débit de données
3733 Mbps
Taille de La mémoire
2GB
Point d'origine
Guangdong, China
Description
Composants électroniques et puces IC
Type de conditionnement
BGA
Application
lC
Package/Boîte
BGA
Série
LPDDR
Type de mémoire
LPDDR
Qualité
100 % neuf, 100 % d'origine
Service
Neuf et d'origine
MODÈLE DU PRODUIT
K4F6E3S4HM-GHCL
Paiement
T/T
MOQ
1 pièce
Modes de paiement
T/T
État
Neuf d'origine
Expédition
China Post
Emballage
200FBGA d'origine, 200FBGA
Numéro de lot
Dernier lot de production
Composants électroniques
Circuit intégré DRAM LPDDR4
Délai de livraison
2-3 jours ouvrables
Taux de transfert
LPDDR4 3200Mbps
FICHE TECHNIQUE
Disponible sur demande
Nom de l'article
Puce mémoire LPDDR4
Tension d'alimentation
Tension de fonctionnement standard
Fournisseur
Ville jumelle
Expédition la plus rapide
Expédition le jour même disponible
L'équipe la plus professionnelle
Équipe professionnelle d'approvisionnement en circuits intégrés

Emballage et livraison

vente Unités
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