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ASCK4F8E3S4HD-GFCL03V 1GB200FBGA DDR SDRAM Puce de mémoire IC Circuits intégrés Composants électroniques Neuf

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Quantité minimale : 1 pièce
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Spécification

LPDDR 1GB200FBGA

Code de date de fabrication

2026 and newer

Caractéristiques

Marque nom

Original Standard

Référence fabricant

ASCK4F8E3S4HD-GFCL03V

Type de montage

Component placement by SMT pick-and-place machine

Point d'origine

South Korea

Description

Electronic components & IC chips

Type demballage

BGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original Standard
Référence fabricant
ASCK4F8E3S4HD-GFCL03V
Type de montage
Component placement by SMT pick-and-place machine
Point d'origine
South Korea
Description
Electronic components & IC chips
Type demballage
BGA
Application
lC
Type
Memory IC
Boîtier / Paquet
BGA
Série
LPDDR
Caractéristiques
Brand New
PRODUCT MODEL
ASCK4F8E3S4HD-GFCL03V
Item Name
UFS Flash Memory Chip
Electronic Components
UFS 3.1
Supplier
Samsung Semiconductor
Quality
100% Original New, RoHS Compliant
Service
Technical Support & After-sales Service
The most professional team
Professional electronic components team
Supply Voltage
1.8V / 3.3V
MOQ
1pc for sample, 1000pcs for bulk
Payment
Negotiable
Payment ways
T/T, Bank Transfer, Alipay, WeChat
Condition
Brand New Original, In Stock
Shipment
Within 48h after payment
Fastest Shipping
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Package
Original Anti-static Tray
Packing
Factory Standard Sealed Package
Lot number
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Lead time
1-3 days (stock), 4-7 days (bulk)
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High-speed UFS 3.1
DATASHEET
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