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ASCK4U6E3S4AM-THCL 2GB200FBGA DDR SDRAM Puce de mémoire IC Circuits intégrés Composants électroniques Neuf

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Quantité minimale : 1 pièce
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Spécification

LPDDR 2GB200FBGA

Code de date de fabrication

2024 et plus
2025 et plus
2026 and newer

Caractéristiques

Marque nom

Original Standard

Référence fabricant

ASCK4U6E3S4AM-THCL

Type

Circuit mémoire

Type de montage

Placement des composants par machine de placement SMT

Débit de données

4266 Mbps

Taille de La mémoire

2GB

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original Standard
Référence fabricant
ASCK4U6E3S4AM-THCL
Type
Circuit mémoire
Type de montage
Placement des composants par machine de placement SMT
Débit de données
4266 Mbps
Taille de La mémoire
2GB
Point d'origine
South Korea
Description
Composants électroniques et puces IC
Type de conditionnement
BGA
Application
lC
Package/Boîte
BGA
Série
LPDDR
Caractéristiques
Neuf
Type de mémoire
LPDDR
MODÈLE DU PRODUIT
ASCK4U6E3S4AM-THCL
Nom de l'article
Puce de mémoire flash UFS
Composants électroniques
UFS 3.1
Fournisseur
Samsung Semiconductor
Qualité
100 % neuf d'origine, conforme RoHS
Service
Support technique et service après-vente
L'équipe la plus professionnelle
Équipe expérimentée d'approvisionnement en composants
Tension d'alimentation
1,8 V / 3,3 V
MOQ
1 pièce pour échantillon, 1000 pièces pour la commande en gros
Paiement
PayPal
Modes de paiement
T/T, virement bancaire, Alipay, WeChat
État
Neuf d'origine, en stock
Expédition
Dans les 48h après le paiement
Expédition la plus rapide
Livraison le jour même/suivant
Emballage
Plateau antistatique d'origine, Emballage scellé standard d'usine
Numéro de lot
Dernier lot de production
Délai de livraison
1 à 3 jours (en stock), 4 à 7 jours (en gros)
Taux de transfert
UFS 3.1 haute vitesse
FICHE TECHNIQUE
Fiche technique officielle disponible sur demande

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul volume
0 cm³
unique poids brut
0.0 kg

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