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ASCK4U8E3S4AD-GUCL 1 Go BGA UFS 3.1 Puce de mémoire flash LPDDR Série Haute vitesse Neuve

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Quantité minimale : 1 pièce
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Spécification

LPDDR 1GB200FBGA

Code de date de fabrication

2024 et plus
2025 et plus
2026 and newer

Caractéristiques

Marque nom

Original Standard

Référence fabricant

ASCK4U8E3S4AD-GUCL

Type

Memory IC

Type de montage

Component placement by SMT pick-and-place machine

Débit de données

4267 Mbps

Taille de La mémoire

1GB

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original Standard
Référence fabricant
ASCK4U8E3S4AD-GUCL
Type
Memory IC
Type de montage
Component placement by SMT pick-and-place machine
Débit de données
4267 Mbps
Taille de La mémoire
1GB
Point d'origine
South Korea
Description
Electronic components & IC chips
Type de conditionnement
BGA
Application
lC
Package/Boîte
BGA
Série
LPDDR
Caractéristiques
Brand New
Type de mémoire
LPDDR
PRODUCT MODEL
ASCK4U8E3S4AD-GUCL
Item Name
UFS Flash Memory Chip
Electronic Components
UFS 3.1
Supplier
Samsung Semiconductor
Quality
100% Original New, RoHS Compliant
Service
Technical Support & After-sales Service
The most professional team
Professional component supply team
Supply Voltage
1.8V / 3.3V
MOQ
1pc for sample, 1000pcs for bulk
Payment
Negotiable
Payment ways
T/T, Bank Transfer, Alipay, WeChat
Condition
Brand New Original, In Stock
Shipment
Within 48h after payment
Fastest Shipping
Same/Next Day Delivery
Package
Original Anti-static Tray
Packing
Factory Standard Sealed Package
Lot number
Latest Production Batch
Lead time
1-3 days (stock), 4-7 days (bulk)
Transfer Rate
High-speed UFS 3.1
DATASHEET
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