Distributeur agréé 93C46CT-I/MC 8 VFDFN Composant électronique de mémoire à contacts apparents
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Attributs
EEPROMTechnologie
Non volatileType de mémoire
128 x 8, 64 x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:3 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:2 mètres
Interface mémoire:Microfil
Caractéristiques du produit
Technologie
EEPROM
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128 x 8, 64 x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
3 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
2 mètres
Interface mémoire
Microfil
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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