Distributeur agréé Acheter des composants électroniques en ligne MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR 200 WFBGA Mémoire
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
1,1 V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5569 €
>= 3 100 pièce
0,2785 €
Options
SélectionnerSpécification
MT53D512M32D2DS 046 informatique : TR
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