Distributeur agréé Achetez des composants électroniques en ligne GD5F4GQ6UEY2GY 8 WDFN Exposed Pad Memory
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Attributs
FLASH - NAND (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
1Gx4Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:600 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, DTR
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
1Gx4
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4Gbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
600 micros
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, DTR
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
4 800 - 7 799 pièce
4,25 €
>= 7 800 pièce
2,13 €
Options
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GD5F4GQ6UEY2G
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