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Caractéristiques

Référence fabricant

E3M0045065K

Marque nom

Original

Description

SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247-4L

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
E3M0045065K
Marque nom
Original
Description
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247-4L
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
E
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
46A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
60 mOhms à 17,6 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,6 V à 4,84 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1593 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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