Distributeur agréé Acheter en ligne Composants électroniques M3004316045NX0PTBR 54 TSOP Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:256Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:45 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
256Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
45 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 000 - 3 999 pièce
4,52 €
>= 4 000 pièce
2,27 €
Options
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