





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Accessoires de composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:2,2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:45 secondes
Interface mémoire:Parallèle














