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Distributeur agréé : Achetez en ligne des composants électroniques EM008LXQBDH13ES2T 8 VDFN Exposed Pad Memory

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910-3 909 pièce
6,28 €
≥3 910 pièce
Code de date de fabrication

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

EM008LXQBDH13ES2T

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

8Mbit

Point d'origine

China

Description

IC RAM 8MBIT XSPI 8DFN

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
EM008LXQBDH13ES2T
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
8Mbit
Point d'origine
China
Description
IC RAM 8MBIT XSPI 8DFN
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
-40°C ~ 105°C (TA)
Package/Boîte
8-VDFN avec pad exposé
Série
EMxxLX
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétorésistive)
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
1M x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad I/O
Format de mémoire
RAM

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vente Unités
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1X1X1 cm
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