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Référence fabricant

TK55S10N1,LXHQ

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

DPAK+

Température de fonctionnement

175°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TK55S10N1,LXHQ
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
DPAK+
Température de fonctionnement
175°C
Série
U-MOSVIII-H
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
55A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6,5 mOhms à 27,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3280 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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