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HUFA76413DK8T-F085P

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
HUFA76413DK8T-F085P
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
2,5 W (Ta)
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
5,1 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
49 mOhms à 5,1 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
620pF à 25V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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