Distributeur agréé CY62256VLL-70ZRXI 28 TSSOP Mémoire Acheter en ligne Composants électroniques
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Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
32 000 x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
32 000 x 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
256 Ko
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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CY62256VLL70ZRXI
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