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Distributeur agréé Composants électroniques Transistors CGD65B240SH2 8-DFN

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100-3 099 pièce
1,39 €
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Caractéristiques

Référence fabricant

CGD65B240SH2

Marque nom

Original

Description

GAN HEMT 650 V, 240 mΩ, DFN5X6.

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-DFN (5x6)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CGD65B240SH2
Marque nom
Original
Description
GAN HEMT 650 V, 240 mΩ, DFN5X6.
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-DFN (5x6)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
ICeGaN
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
7A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
336 mOhms à 500 mA, 12 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,2 V à 2,3 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,2 nC à 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
12V
Vgs (Max)
+20V, -1V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Ruban coupé (CT)
Type de FET
Canal N
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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