Composants électroniques de distributeur agréé CY14B116N-BZ25XI 165 LBGA Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Plateau, plateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1M x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:25 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau, plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
1M x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
25 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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11,94 €
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5,97 €
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CY14B116N et BZ25XI
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Composants électroniques de distributeur agréé CY14B116N-BZ25XI 165 LBGA Mémoire












