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Composants électroniques de distributeur agréé FBG10N05ASH 4-SMD, transistors sans plomb

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Référence fabricant

FBG10N05ASH

Marque nom

Original

Description

GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A

Point d'origine

China

Package/Boîte

4-SMD, sans plomb

Série

eGaN

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FBG10N05ASH
Marque nom
Original
Description
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
Point d'origine
China
Package/Boîte
4-SMD, sans plomb
Série
eGaN
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
-
Courant nominal (ampères)
250µA
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
100 V
Configuration
N-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Technologie
GaN HEMT
Configuration
Canal N
Fréquence
-
Gain
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs