





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 Gbits (NAND), 4 Gbits (LPDDR2)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatil, volatil
Technologie:FLASH - NAND, mémoire vive - LPDDR2
Tension D'alimentation:1,8 V
Fréquence de l'horloge:533 MHz
Organisation de la mémoire:256 Mo x 16 (NAND), 128 Mo x 32 (LPDDR2)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle














