Distributeur agréé de composants électroniques MT29F8G08ABBCAH4-IT:C TR 63 VFBGA Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:30 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
1Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
30 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 999 pièce
3,11 €
>= 1000 pièce
2,18 €
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