Distributeur agréé Composants électroniques puces mémoire MT53B512M64D4NW-062 WT:D
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 64Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 64
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
1,1 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5534 €
>= 3 100 pièce
0,2767 €
Options
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MT53B512M64D4NW 062 poids : D
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