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Caractéristiques

Référence fabricant

QS8J4TR

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SMD, broches plates

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
QS8J4TR
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SMD, broches plates
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
550mW
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
56 mOhms à 4 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
800pF à 10V
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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