Distributeur agréé Composants électroniques Mémoire MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR
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Attributs
Composant et pièceType
128 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composant électroniqueCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:167 MHz
Organisation de la mémoire:16Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
167 MHz
Organisation de la mémoire
16Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,4683 €
>= 3 100 pièce
0,2342 €
Options
SélectionnerSpécification
MT29F128G08AMCDBJ5 6ITR : D TR
Expédition
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