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Distributeur agréé de composants électroniques, module de transistors MSCSM120HRM311AG

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Référence fabricant

MSCSM120HRM311AG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A

Point d'origine

China

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Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MSCSM120HRM311AG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
395W (Tc), 365W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV), 700V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
89A (Tc), 124A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
31 mΩ à 40 A, 20 V, 19 mΩ à 40 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,8 V à 3 mA, 2,4 V à 4 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC à 20 V, 215 nC à 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3020pF à 1000V, 4500pF à 700V
Configuration
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Tube
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (onduleur à trois niveaux)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs