Distributeur agréé de composants électroniques UPD44325184BF5-E40-FQ1-A 165 FBGA Mémoire
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Attributs
SRAM - Synchrone, QDR IITechnologie
volatileType de mémoire
2Mx18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
36 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:250 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:4 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, QDR II
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
2Mx18
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
36 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
250 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
4 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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UPD44325184BF5 E40 FQ1A
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