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Distributeur agréé FII50-12E i4-Pac-5 Transistors Composants électroniques

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Référence fabricant

FII50-12E

Marque nom

Original

Description

Pont H IGBT 1200V 50A I4PAK5

Point d'origine

China

Package/Boîte

i4-Pac-5

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FII50-12E
Marque nom
Original
Description
Pont H IGBT 1200V 50A I4PAK5
Point d'origine
China
Package/Boîte
i4-Pac-5
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
50 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
400 µA
Puissance Max
200 W
Type IGBT
NPT
Configuration
Demi-Pont
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
2 nF @ 25 V
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Non
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type d'IGBT
NPT
Configuration
Demi-pont
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
50 A
Puissance - Max
200 W

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs