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Distributeur agréé LN60A01EP-LF 8-DIP, composants électroniques à 7 fils, transistors

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Référence fabricant

LN60A01EP-LF

Marque nom

Original

Description

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-DIP (0,300", 7,62 mm), 7 broches

Température de fonctionnement

-20°C ~ 125°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
LN60A01EP-LF
Marque nom
Original
Description
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-DIP (0,300", 7,62 mm), 7 broches
Température de fonctionnement
-20°C ~ 125°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,3 W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
80mA
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
190 ohms à 10 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Configuration
3 N-Channel, Common Gate
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
3 canaux N, grille commune

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs