





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:256Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle














