Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
