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Distributeur agréé MT29F32G08ABAAAM73A3WC1 Composant électronique Mémoire Die

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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

MT29F32G08ABAAAM73A3WC1

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

32Gbit

Point d'origine

China

Description

CI FLASH 32Gbit parallèle (die)

Expédition

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
32Gbit
Point d'origine
China
Description
CI FLASH 32Gbit parallèle (die)
Type de conditionnement
En vrac
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Package/Boîte
Matrice
Série
-
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
4G x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Avertissement/Disclaimer
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