Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:128 M x 4, 256 M x 2, 512 M x 1
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:4 mètres
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI, DTR
