Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
512 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation:2,25 V ~ 2,75 V
Fréquence de l'horloge:38,4 MHz
Organisation de la mémoire:64Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SFS 3.1
