Distributeur agréé Mémoire 165 TBGA IS61NLP102418B-250B3LI Composants électroniques
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Attributs
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants de circuits électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, SDR
Tension D'alimentation:3,135 V ~ 3,465 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:1M18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de circuits électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR
Tension D'alimentation
3,135 V ~ 3,465 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
1M18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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