Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:mémoire SDRAM
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:4M16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:14 secondes
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
