Composants électroniques de circuit : Mémoire 8 TSSOP M95M01-DWDW4TP/K – Distributeur agréé
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Attributs
EEPROMTechnologie
Non volatileType de mémoire
128Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:2,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:16 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:4 mètres
Interface mémoire:PI
Caractéristiques du produit
Technologie
EEPROM
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128Kx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Mbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
2,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
16 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
4 mètres
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 - 3 999 pièce
1,55 €
>= 4 000 pièce
0,8867 €
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M95M01 DWDW4TP/K
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