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Composant électronique Mémoire 8 XFDFN à contacts apparents GD25B32EEAGR Distributeur agréé

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
32 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:4Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
32 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
4Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
3000 - 5999 pièce
0,4413 €
>= 6000 pièce
0,2228 €

Expédition

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