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Distributeur agréé STL16N60M2 Transistors PowerFlat HV Composants électroniques

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Caractéristiques

Référence fabricant

STL16N60M2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerFlat (5x6) HV

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STL16N60M2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerFlat (5x6) HV
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
MDmesh M2
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
8A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
355 mOhms à 4 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
704 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±25V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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