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SCTH90N65G2V-7

Marque nom

Original

Description

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7

Point d'origine

China

Package/Boîte

H2PAK-7

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SCTH90N65G2V-7
Marque nom
Original
Description
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Point d'origine
China
Package/Boîte
H2PAK-7
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
90A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
26 mOhms à 50 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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