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Distributeur agréé Transistors SP1 APTC60VDAM45T1G Composants électroniques

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Caractéristiques

Référence fabricant

APTC60VDAM45T1G

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

Point d'origine

China

Package/Boîte

SP1

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTC60VDAM45T1G
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Point d'origine
China
Package/Boîte
SP1
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolMOS
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
250W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
49A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
45 mOhms à 24,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,9 V à 3 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF à 25V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs