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Distributeur agréé Transistors TO-263-7 G2R120MT33J-TR Composants électroniques

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Référence fabricant

G2R120MT33J-TR

Marque nom

Original

Description

3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263-7

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
G2R120MT33J-TR
Marque nom
Original
Description
3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263-7
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
LoRing
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
3300 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
33A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
156 mOhms à 15 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,5 V à 4 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3009 pF à 1000 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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