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Distributeur agréé Transistors TO-268AA IXTT16N10D2 Acheter des composants électroniques en ligne

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Référence fabricant

IXTT16N10D2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 100V 16A TO268

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-268AA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXTT16N10D2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-268AA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
Dépauvrisement
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel, Depletion Mode
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
16A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
64 mOhms à 8 A, 0 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5700 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
0V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N, mode de déplétion
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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