





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:800 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI














