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Attributs
SDRAM - LPDDR mobileTechnologie
volatileType de mémoire
4M32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:LCMVOS
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
4M32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de circuits intégrés
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
LCMVOS
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5141 €
>= 3 100 pièce
0,2571 €
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W947D2HBJX5E
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