Composants électroniques en stock : Circuit intégré BOM AS4C512M32MD4V-053BIN 200 VFBGA Mémoire – Achetez en ligne
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Attributs
SDRAM - LPDDR4X mobileTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,866 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTLE06
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4X mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,866 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
LVSTLE06
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
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6,22 €
>= 3 001 pièce
3,11 €
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AS4C512M32MD4V053BIN
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